| 品牌 | 中国计量科学研究院 | 供货周期 | 现货 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 综合 |
GaAs/AIAs 超晶格多层膜膜厚 可用于与多个厚度尺寸相关的设备校准，包括表面分析设备，如俄歇电子光谱仪、X 射线光电能谱仪及二次离子质谱仪的溅射速率校准;以及用于透射电镜
样品制备RM 的 10 万倍到 30 万倍的中倍放大倍率校准。
家采用分子束外延生长方法，在 GaAs(100)基底上生长每层膜厚名义量值为 10 nm 的 GaAs/AIAs 超晶格3周期，切割为 20 mm x20 mm 的正方形，经定值测量后采用铝箔包装袋真空包装。org.c
二、溯源性及定值方法
采用掠入射 X 射线反射技术为样品定值，此设备为计量校准装置，角度溯源至多齿分度台标准装置，入射光波长溯源至单晶硅晶格参数。通过使用满足计量学特性要求的测量方法和计量器具保证其量值溯源性。
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